Comprar Vishay Siliconix SI4900DY-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

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Hojas de datos

SI4900DY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Número de pieza

SI4900DY-T1-GE3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Potencia - Máx.

3.1W

Paquete de dispositivo del proveedor

8-SO

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Función FET

Logic Level Gate

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

60V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

5.3A

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

58 mOhm @ 4.3A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

665pF @ 15V

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