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SI4946CDY-T1-GE3

SI4946CDY-T1-GE3

MOSFET N-CHAN DUAL 60V SO-8
Número de pieza
SI4946CDY-T1-GE3
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Potencia - Máx.
2W (Ta), 2.8W (Tc)
Paquete de dispositivo del proveedor
8-SO
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Standard
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
60V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
5.2A (Ta), 6.1A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
40.9 mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 30V
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Palabras clave deSI4946CDY-T1-GE3
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