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SI6913DQ-T1-E3

SI6913DQ-T1-E3

MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP
Número de pieza
SI6913DQ-T1-E3
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Digi-Reel®
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Potencia - Máx.
830mW
Paquete de dispositivo del proveedor
8-TSSOP
Tipo FET
2 P-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
12V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
4.9A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
21 mOhm @ 5.8A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
900mV @ 400µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
28nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
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