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SI7900AEDN-T1-E3

SI7900AEDN-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8
Número de pieza
SI7900AEDN-T1-E3
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Digi-Reel®
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
PowerPAK® 1212-8 Dual
Potencia - Máx.
1.5W
Paquete de dispositivo del proveedor
PowerPAK® 1212-8 Dual
Tipo FET
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
20V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
6A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
26 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
900mV @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
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Palabras clave deSI7900AEDN-T1-E3
SI7900AEDN-T1-E3 Componentes electrónicos
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