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SI7949DP-T1-E3
MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Número de pieza
SI7949DP-T1-E3
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
PowerPAK® SO-8 Dual
Potencia - Máx.
1.5W
Paquete de dispositivo del proveedor
PowerPAK® SO-8 Dual
Tipo FET
2 P-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
60V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
3.2A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
64 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
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