Comprar Vishay Siliconix SIDR390DP-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK SO-8D

La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.

Hojas de datos

SIDR390DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK SO-8D

Número de pieza

SIDR390DP-T1-GE3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

Estado de la pieza

Active

embalaje

Digi-Reel®

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

PowerPAK® SO-8

Paquete de dispositivo del proveedor

PowerPAK® SO-8DC

Disipación de energía (máx.)

6.25W (Ta), 125W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

69.9A (Ta), 100A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

0.8 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

153nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

10180pF @ 15V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

+20V, -16V

Solicitud de cotización

Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.

En stock 7321 PCS

Información del contacto

Productos relacionados

SIDR140DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC