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SIE800DF-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK

Número de pieza

SIE800DF-T1-E3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

10-PolarPAK® (S)

Paquete de dispositivo del proveedor

10-PolarPAK® (S)

Disipación de energía (máx.)

5.2W (Ta), 104W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

50A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

7.2 mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

35nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1600pF @ 15V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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