Comprar Vishay Siliconix SIHD1K4N60E-GE3 MOSFET N-CH DPAK TO-252

La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.

Ver más información Hojas de datos

SIHD1K4N60E-GE3

MOSFET N-CH DPAK TO-252

Número de pieza

SIHD1K4N60E-GE3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

Estado de la pieza

Active

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-252AA

Disipación de energía (máx.)

63W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

600V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

4.2A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

1.45 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

172pF @ 100V

Vgs (máx.)

±30V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Solicitud de cotización

Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.

En stock 19045 PCS

Información del contacto

Productos relacionados

SIHD12N50E-GE3

MOSFET N-CHAN 500V DPAK