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SIHG11N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC
Número de pieza
SIHG11N80E-GE3
Fabricante/Marca
Serie
E
Estado de la pieza
Active
embalaje
-
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-247-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-247AC
Disipación de energía (máx.)
179W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
800V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
12A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
440 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
88nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1670pF @ 100V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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