Comprar Vishay Siliconix SIHJ240N60E-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 600V PPAK SO-8L

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Hojas de datos

SIHJ240N60E-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 600V PPAK SO-8L

Número de pieza

SIHJ240N60E-T1-GE3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

Estado de la pieza

Active

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

PowerPAK® SO-8

Paquete de dispositivo del proveedor

PowerPAK® SO-8

Disipación de energía (máx.)

89W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

600V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

12A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

240 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

23nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

783pF @ 100V

Vgs (máx.)

±30V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

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