La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
SQJ401EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 12V 32A POWERPAKSO-8
Número de pieza
SQJ401EP-T1_GE3
Fabricante/Marca
Serie
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
PowerPAK® SO-8
Paquete de dispositivo del proveedor
PowerPAK® SO-8
Disipación de energía (máx.)
83W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
12V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
32A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
6 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
164nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
10015pF @ 6V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
2.5V, 4.5V
Vgs (máx.)
±8V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 41405 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deSQJ401EP-T1_GE3
SQJ401EP-T1_GE3 Componentes electrónicos
SQJ401EP-T1_GE3 Ventas
SQJ401EP-T1_GE3 Proveedor
SQJ401EP-T1_GE3 Distribuidor
SQJ401EP-T1_GE3 Tabla de datos
SQJ401EP-T1_GE3 Fotos
SQJ401EP-T1_GE3 Precio
SQJ401EP-T1_GE3 Oferta
SQJ401EP-T1_GE3 El precio más bajo
SQJ401EP-T1_GE3 Buscar
SQJ401EP-T1_GE3 Adquisitivo
SQJ401EP-T1_GE3 Chip