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SUB75P03-07-E3
MOSFET P-CH 30V 75A D2PAK
Número de pieza
SUB75P03-07-E3
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-263 (D2Pak)
Disipación de energía (máx.)
3.75W (Ta), 187W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
75A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
7 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
240nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
9000pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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