Comprar Vishay Siliconix SIZF906ADT-T1-GE3 MOSFET DUEL N-CHAN 30V

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Hojas de datos

SIZF906ADT-T1-GE3

MOSFET DUEL N-CHAN 30V

Número de pieza

SIZF906ADT-T1-GE3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerWDFN

Potencia - Máx.

4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)

Paquete de dispositivo del proveedor

8-PowerPair® (6x5)

Tipo FET

2 N-Channel (Dual), Schottky

Función FET

Standard

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.2V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

49nC @ 10V, 200nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V

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