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SIZF906DT-T1-GE3

SIZF906DT-T1-GE3

MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR
Número de pieza
SIZF906DT-T1-GE3
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET® Gen IV
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TA)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerWDFN
Potencia - Máx.
38W (Tc), 83W (Tc)
Paquete de dispositivo del proveedor
PowerPAIR® 6x5F
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Standard
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
60A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
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