Comprar AGM-Semi (core control source) AGM206MAP N+N channel 20V 25A 4.5mΩ

AGM-Semi (core control source)

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AGM206MAP

N+N channel 20V 25A 4.5mΩ

Número de pieza

AGM206MAP

Categoría

Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)

Fabricante/Marca

AGM-Semi (core control source)

Encapsulación

PDFN3x3

Embalaje

taping

Número de paquetes

5000

Descripción

Field Effect Transistor (MOSFET) Type: Dual N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 20V Continuous Drain Current (Id): 25A Power (Pd): 3.0W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.5mΩ@4.5V,10A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 0.8V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): [email protected] Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.31nF@10V ,Vds =20V Id=25A Rds=4.5mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj) DFN3*3encapsulation;

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