AGM-Semi (core control source)
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AGM20P07EL
AGM20P07EL
Número de pieza
AGM20P07EL
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
SOT-23-3
Embalaje
taping
Número de paquetes
3000
Descripción
Type: P-channel Drain-source voltage (Vdss): 20V Continuous Drain current (Id): 6.5A Power (Pd): 1.7W On-resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 16mΩ@4.5V, 4.1A Threshold voltage (Vgs(th)@Id): 0.7V@250uA Gate charge (Qg@Vgs): 7.8nC@4V Input capacitance (Ciss@Vds): 0.980nF@4V ,Vds=20v Id=6.5A Rds= 16mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3encapsulation;
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