AGM-Semi (core control source)
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AGM210MAP
N+P channel 20V 25A/-25A 11mΩ/18mΩ
Número de pieza
AGM210MAP
Categoría
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Fabricante/Marca
AGM-Semi (core control source)
Encapsulación
DFN3.3x3.3
Embalaje
taping
Número de paquetes
5000
Descripción
Type: One N-Channel, One P-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 20V Continuous Drain Current (Id): 25A/-25A Power (Pd): 35W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 11mΩ@4.5V, 4A/18mΩ@10V, 3A Threshold voltage (Vgs(th)@Id): 0.7V@250uA/-0.7V@250uA Gate charge (Qg@Vgs) [email protected] /[email protected] V input capacitance (Ciss@Vds): 0.95nF@10V/0.9nF@10V, Vds=20v Id=25A/-25A Rds=11mΩ/18mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
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